This was last updated in March 2010. As the quartz window is expensive to make, OTP (one-time programmable) chips were introduced; here, the die is mounted in an opaque package so it cannot be erased after programming – this also eliminates the need to test the erase function, further reducing cost. This method of erasure allows complete testing and correction of a complex memory array before the package is finally sealed. En pratique : Quelles sources sont attendues ? L'écriture est un processus relativement lent qui dépendra du modèle (exemples : 1 minute pour 2 Mbit pour un modèle moderne - M27C160 - mais jusqu'à 3 minutes pour un modèle plus ancien de seulement 32 Kbit - F2732 -) et nécessitant l'application de tensions électriques plus élevées et rarement gérées directement par la carte mémoire.

Modifier une seule donnée demande donc l'effacement et la reprogrammation de la totalité de la mémoire EPROM.

Once the package is sealed, information can still be erased by exposing it to X radiation in excess of 5*104 rads,[a] a dose which is easily attained with commercial X-ray generators.

The programming process is not electrically reversible. Shining ultraviolet light on any part of an unpackaged device causes a photocurrent to flow from the floating gate back to the silicon substrate, thereby discharging the gate to its initial, uncharged condition (photoelectric effect).

Erasure of the EPROM begins to occur with wavelengths shorter than 400 nm. Le principe de l'EPROM-UV est le suivant : À la différence d'une mémoire PROM (Programmable Read Only Memory) qui ne peut être programmée qu'une seule fois (ou OTP : One Time Programming), une mémoire EPROM peut être effacée et reprogrammée plusieurs fois et peut être lue à l'infini. Functions.

Il doit être mis à 0 par le programme.

La mémoire EPROM (de l'anglais Erasable Programmable Read-Only Memory signifiant mémoire morte reprogrammable) est un type de mémoire dite morte dont le code peut être modifié dans certaines conditions.

selon les recommandations des projets correspondants. The unneeded VBB and VDD pins were reused for additional address bits allowing larger capacities (2716/2732) in the same 24-pin package, and even larger capacities with larger packages.
[1], In 1967, Dawon Kahng and Simon Sze at Bell Labs proposed that the floating gate of a MOSFET could be used for the cell of a reprogrammable ROM (read-only memory). Some microcontrollers, from before the era of EEPROMs and flash memory, use an on-chip EPROM to store their program. The erasing window must be kept covered with an opaque label to prevent accidental erasure by the UV found in sunlight or camera flashes. For large volumes of parts (thousands of pieces or more), mask-programmed ROMs are the lowest cost devices to produce. Contrairement à l'EPROM, la mémoire EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) peut être effacée électriquement[2], sans qu'il soit nécessaire de la retirer de l'appareil qui l'utilise.

In 1963, he noted the movement of charge through oxide onto a gate. Stored charge on these isolated gates changes their threshold voltage.

The Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) was developed to provide an electrical erase function and has now mostly displaced ultraviolet-erased parts. Il est de cette façon impossible d'effacer sélectivement certaines parties de la mémoire. EEPROM Update: Stores values read from A0 into EEPROM, writing the value only if different, to increase EEPROM life. Each field-effect transistor consists of a channel in the semiconductor body of the device. OTP versions of both EPROMs and EPROM-based microcontrollers are manufactured.

A programmed EPROM retains its data for a minimum of ten to twenty years,[6] with many still retaining data after 35 or more years, and can be read an unlimited number of times without affecting the lifetime. In effect, the stored charge on the floating gate allows the threshold voltage of the transistor to be programmed. The effects of this process on the reliability of the part would have required extensive testing so they decided on the window instead. Une mémoire morte est une mémoire utilisée pour enregistrer des informations qui ne doivent pas être perdues lorsque l'appareil qui les contient n'est plus alimenté en électricité.VII.1. Alors qu'il faut la retirer de l'appareil et la soumettre à un rayonnement ultra-violet pour effacer la mémoire EPROM (aussi appelée UVEPROM), la mémoire EEPROM peut être effacée par un simple courant électrique sans qu'il soit nécessaire de la retirer de l'appareil qui la contient.

WRERR est mis à 1 par le système quand une opération d'écriture est interrompue par MCLR, reset ou le chien de garde. Following the invention of the MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) by Mohamed Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs, presented in 1960, Frank Wanlass studied MOSFET structures in the early 1960s.

An insulating layer of oxide is grown over the channel, then a conductive (silicon or aluminum) gate electrode is deposited, and a further thick layer of oxide is deposited over the gate electrode.

WREN autorise (1) ou non (0) l'accès en écriture.